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危牆之下 媒體稱中國計劃加速芯片產業發展

援引路透4月19日報道稱,隨著中美貿易摩擦不斷升級,中國政府正尋求加速推進國產芯片產業的發展計劃。

中國電信設備製造巨頭中興4月16日遭到美國商務部處罰,未來7年禁止美國公司向中興通訊銷售零部件、商品、軟件和技術。

雖然出口禁令起於中興違反了美國限製向伊朗出售美國技術的製裁條款,但因美商務部決定公布的時機,恰逢中美貿易緊張局勢愈演愈烈之際,被國內輿論廣泛解讀為美國是在進一步遏製中國技術密集型產業的發展。

路透報道援引兩位直接知情人士稱,本周中國高層官員匯集行業協會和監管部門,召開多次會議,研究探討進一步加速推進本土芯片產業發展的具體措施。國家集成電路產業投資基金據稱也在與會部門之列。

今年3月就有報道稱,中國目前正在進行國家集成電路產業投資基金二期的成立工作,二期擬募集1500億-2000億元人民幣,於今年下半年開始投資運作。這隻有著雄厚股東背景的“大基金”是A股半導體板塊龍頭股背後的共同“大金主”。

目前半導體產業已經處在“中國製造2025”發展戰略的關鍵位置,擁有非常高的政策優先級,減少對外國科技產品的依賴,扶持具有國際競爭力的本土明星企業。然而隨著中興慘遭美國出口禁令,這一產業發展目標被賦予了全然不同的緊迫意義。

騰訊科技今日援引《福布斯》網絡版日前刊發Atherton Research副總裁兼首席分析師Jean Baptiste Su的文章稱,美國的出口禁令有效地阻止了這家中國公司獲得美國的所有技術,導致其工廠關閉,銷售停止。

而且,即使中興有能力重新設計所有產品,尋找美國產元器件的替代品,也需要數年時間。

集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,中國存儲器產業目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注於行動式內存的合肥長鑫,以及致力於利基型內存晉華集成三大陣營為主。以目前三家廠商的進度來看,其試產時間預計將在2018年下半年,隨著三大陣營的量產的時間可能皆落在2019年上半年,揭示著2019年將成為中國存儲器生產元年。

DRAMeXchange指出,從三大廠目前布局進度來看,合肥長鑫的廠房已於去年6月封頂完工,去年第三季開始移入測試用機台。合肥長鑫目前進度與晉華集成大致雷同,試產時程將會落於今年第三季,量產則暫定在2019年的上半年,時程較預期落後。此外,由於合肥長鑫直攻三大DRAM廠最重要產品之一的LPDDR4 8Gb,爾後麵臨專利爭議的可能性也較高,為了避免此一狀況,除了積極累積的專利權外,初期可能將鎖定於中國銷售。

反觀專注於利基型記憶的晉華集成,在2016年7月宣布於福建省晉江市建12英寸廠,投資金額約53億美元,以目前進度來看,其利基型內存的試產延後至今年第三季度,量產時程也將落在明年上半年。

此外,從中國廠商NAND Flash的發展進程來看,2016年12月底,由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土,官方預期分三階段,共建立三座3D-NAND Flash廠房。第一階段廠房已於去年9月完成興建,預定2018年第三季開始移入機台,並於第四季進行試產,初期投片不超過1萬片,用於生產32層3D-NAND Flash產品,並預計於自家64層技術成熟後,再視情況擬定第二、三期生產計劃。

DRAMeXchange指出,觀察中國存儲器廠商的研發與產出計劃,2019年將是中國存儲器產業的生產元年,但也由於兩家DRAM廠預估初期量產規模並不大,短期尚不會撼動全球市場現有格局。

長期來看,隨著中國存儲器產品逐步成熟,預計2020-2021年兩家DRAM廠商現有工廠將逐步滿載,在最樂觀的預估下,屆時兩家合計約有每月25萬片的投片規模,可能將開始影響全球DRAM市場的供給。另一方麵,長江存儲計劃設有的三座廠房總產能可能高達每月30萬片,不排除長江存儲完成64層產品開發後,可能將進行大規模的投片,進而在未來三到五年對NAND Flash的供給產生重大影響。(整理自網絡)


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